IRFIZ48GPBF

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRFIZ48GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.

Preis IRFIZ48GPBF ab 2.26 EUR bis 3.99 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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1150 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Material: IRFIZ48GPBF THT N channel transistors
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Material: IRFIZ48GPBF THT N channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
VISH_S_A0012820862_1-2572057.pdf
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIZ48GPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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