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Technische Details IRFL014NPBF IR
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFL014NPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFL014NPBF Produktcode: 23061 |
Hersteller : IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-223 Uds,V: 60 Idd,A: 02.07.2015 Rds(on), Ohm: 01.02.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.300 JHGF: SMD |
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IRFL014NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube |
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IRFL014NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
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IRFL014NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 160mOhms 7nC |
Produkt ist nicht verfügbar |