IRFP440PBF

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Technische Details IRFP440PBF
Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3.
Preis IRFP440PBF ab 0 EUR bis 0 EUR
IRFP440PBF Hersteller: VISHAY Material: IRFP440PBF THT N channel transistors ![]() |
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IRFP440PBF Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 500V N-CH HEXFET ![]() |
auf Bestellung 490 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFP440PBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC ![]() |
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IRFP440PBF Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 ![]() |
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