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Technische Details IRFP448PBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.
Weitere Produktangebote IRFP448PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP448PBF | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
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| IRFP448PBF | Hersteller : VISHAY |
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IRFP448PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP448PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP448PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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| IRFP448PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP448PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
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| IRFP448PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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