IRFP450LC Siliconix
Hersteller: SiliconixN-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
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Technische Details IRFP450LC Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| IRFP450LC | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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IRFP450LC | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP450LC | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
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IRFP450LC | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFP450LCPBF |
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