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IRFPE30PBF

IRFPE30PBF Vishay


irfpe30.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Technische Details IRFPE30PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

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IRFPE30PBF IRFPE30PBF Hersteller : Vishay irfpe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPE30PBF IRFPE30PBF Hersteller : Vishay Semiconductors TO247AC_Side.jpg MOSFET 800V N-CH HEXFET
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IRFPE30PBF IRFPE30PBF Hersteller : Vishay Siliconix TO247AC_Side.jpg Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
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IRFPE30PBF IRFPE30PBF Hersteller : Vishay irfpe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPE30PBF IRFPE30PBF Hersteller : Vishay irfpe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPE30PBF IRFPE30PBF Hersteller : Vishay 91246.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPE30PBF IRFPE30PBF Hersteller : VISHAY IRFPE30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFPE30PBF IRFPE30PBF Hersteller : VISHAY IRFPE30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
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On-state resistance:
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