IRFPE50PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 20+ | 3.6 EUR |
| 23+ | 3.17 EUR |
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Technische Details IRFPE50PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFPE50PBF nach Preis ab 2.65 EUR bis 11.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFPE50PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPE50PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFPE50PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 800V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 3909 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFPE50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPE50PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPE50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPE50PBF Produktcode: 47698 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFPE50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFPE50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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