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Technische Details IRFPG50PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Weitere Produktangebote IRFPG50PBF nach Preis ab 3.71 EUR bis 13.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 2906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 1000V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 2906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPG50PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFPG50PBF |
IRFPG50PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFPG50PBF Produktcode: 23069 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 1000 Idd,A: 06.01.2015 Rds(on), Ohm: 2 JHGF: THT |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFPG50PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFPG50PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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