IRFR010TRLPBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
sihfr010-1761720.pdf
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Technische Details IRFR010TRLPBF

Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount.

Preis IRFR010TRLPBF ab 0 EUR bis 0 EUR

IRFR010TRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR010TRLPBF
IRFR010TRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
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