IRFR120NTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR120NTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFR120NTRPBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 2.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC |
auf Bestellung 30276 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
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| IRFR120NTRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @; D-PAK |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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