IRFR120TRPBF

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Technische Details IRFR120TRPBF
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis IRFR120TRPBF ab 2.44 EUR bis 4.19 EUR
IRFR120TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ![]() |
24000 Stücke |
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IRFR120TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFR120TRPBF SMD N channel transistors ![]() ![]() |
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IRFR120TRPBF Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: D-Pak Mounting Type: Surface Mount Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) ![]() |
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IRFR120TRPBF Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) ![]() |
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IRFR120TRPBF Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) ![]() |
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