Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFR1N60ATRPBF (Transistor)

IRFR1N60ATRPBF (Transistor)

irfr1n60a-datasheet.pdf
Produktcode: 47827
Hersteller: IR
Uds,V: 600 V
Idd,A: 1,4 A
Rds(on), Ohm: 7 Omh
Ciss, pF/Qg, nC: 229/14
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFR1N60ATRPBF (Transistor) nach Preis ab 0.95 EUR bis 6.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+2.2 EUR
73+ 2.1 EUR
100+ 1.64 EUR
250+ 1.56 EUR
500+ 1.25 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+2.43 EUR
72+ 2.12 EUR
73+ 2.02 EUR
100+ 1.58 EUR
250+ 1.5 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 66
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
auf Bestellung 6115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+3.59 EUR
10+ 2.97 EUR
100+ 2.36 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfr1n6.pdf MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
auf Bestellung 3832 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+6.92 EUR
10+ 5.75 EUR
100+ 5.2 EUR
500+ 5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR1N60ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR1N60ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR1N60ATRPBF Hersteller : VISHAY sihfr1n6.pdf
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFR1N60ATRPBF Hersteller : VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Hersteller : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR1N60ATRPBF Hersteller : VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar

Mit diesem Produkt kaufen

TL431ACDBZR
Produktcode: 181682		 tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches
TL431ACDBZR
Hersteller: Китай
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: SOT-23-3
Kurzbeschreibung: Shunt Adjustable Precision References
Spannung: 36 V
Temp.Bereich: 0…+70°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Шунт
auf Bestellung 1660 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TL431AIDBZR
Produktcode: 148257		 description tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches
TL431AIDBZR
Hersteller: TI
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: SOT-23
Kurzbeschreibung: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність - 1%
Spannung: 36 V
Temp.Bereich: -40…+125°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
auf Bestellung 26 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 6000 Stück:
6000 Stück - erwartet 21.04.2024
TL431AIDBZR
Produktcode: 27121		 description TL431_FAM.pdf
TL431AIDBZR
Hersteller: NXP
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: SOT-23
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
auf Bestellung 878 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.16 EUR
10+ 0.14 EUR
100+ 0.12 EUR
33nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B333K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2069		 X7R_X5R.pdf
33nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B333K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 33nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 7812 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.03 EUR
100+ 0.012 EUR
1000+ 0.0098 EUR
Mindestbestellmenge: 10