Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3711ZTRPBF
IRFR3711ZTRPBF

IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies


infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.63 EUR
4000+ 0.59 EUR
6000+ 0.57 EUR
10000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IRFR3711ZTRPBF nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.69 EUR
4000+ 0.65 EUR
6000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
154+1 EUR
156+ 0.96 EUR
176+ 0.82 EUR
250+ 0.77 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.56 EUR
3000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 154
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
140+1.11 EUR
154+ 0.97 EUR
156+ 0.92 EUR
176+ 0.79 EUR
250+ 0.73 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.54 EUR
3000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 140
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
135+1.15 EUR
136+ 1.1 EUR
154+ 0.94 EUR
200+ 0.85 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.71 EUR
5000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 135
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.21 EUR
6000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR3711Z_DataSheet_v01_01_EN-3363156.pdf MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
auf Bestellung 5727 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+2.42 EUR
26+ 2.06 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.19 EUR
2000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
auf Bestellung 8134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.91 EUR
11+ 2.38 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.57 EUR
1000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR3711ZTRPBF
Produktcode: 173373
irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3711ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 93A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 93A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3711ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 93A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 93A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar