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IRFR430APBF

IRFR430APBF VISHAY


IRFR430A.pdf Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Technische Details IRFR430APBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

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IRFR430APBF IRFR430APBF Hersteller : VISHAY IRFR430A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFR430APBF IRFR430APBF Hersteller : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR430APBF IRFR430APBF Hersteller : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR430APBF IRFR430APBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfr430.pdf MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK
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IRFR430APBF IRFR430APBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr430.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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6+4.39 EUR
75+ 3.53 EUR
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525+ 2.46 EUR
1050+ 2.09 EUR
2025+ 1.98 EUR
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IRFR430APBF IRFR430APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 2943 Stücke:
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IRFR430APBF Hersteller : Vishay/IR sihfr430.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 5 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 24 @ 10 В; Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; D-PAK
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12+ 0.56 EUR
100+ 0.49 EUR
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IRFR430APBF
Produktcode: 163510
sihfr430.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR430APBF IRFR430APBF Hersteller : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR430APBF IRFR430APBF Hersteller : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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