IRFR825TRPBF

IRFR825TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfr825-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR825TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr825-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR825_DataSheet_v01_01_EN-3363238.pdf MOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
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500+ 2.84 EUR
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : INFINEON irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : INFINEON irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr825-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR825TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 1,3 Ом; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 119; Тексп, °C = -55...+150; D-PAK
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IRFR825TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a MOSF N CH 500V 6A DPAK
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IRFR825TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a MOSF N CH 500V 6A DPAK
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IRFR825TRPBF
Produktcode: 188539
irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr825-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfr825pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 119W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 119W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFR825TRPBF Hersteller : Amphenol irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Circular MIL Spec Connector
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfr825pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 119W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 119W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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