IRFR9014TRLPBF
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Technische Details IRFR9014TRLPBF
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK, Supplier Device Package: D-Pak, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA.
Preis IRFR9014TRLPBF ab 2.68 EUR bis 4.24 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 
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IRFR9014TRLPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Supplier Device Package: D-Pak Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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auf Bestellung 1975 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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