IRFR9014TRPBF
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Technische Details IRFR9014TRPBF
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis IRFR9014TRPBF ab 0 EUR bis 0 EUR
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IRFR9014TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors 
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IRFR9014TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET D
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auf Bestellung 15844 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFR9014TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9014TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: D-Pak Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 2182 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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