IRFR9020TRPBF
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Technische Details IRFR9020TRPBF
Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.
Preis IRFR9020TRPBF ab 1.08 EUR bis 2.85 EUR
 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - IRFR9020TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.9 A, 0.2 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50 Dauer-Drainstrom Id: 9.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: To Be Advised 
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6000 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9020TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET D
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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