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Technische Details IRFR9020TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9020TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR9020TRPBF nach Preis ab 0.95 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFR9020TRPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9020TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9020TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 P-CH 50V 9.9A |
auf Bestellung 1711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9020TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9020TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9020TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9020TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR9020TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR9020TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
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