IRFR9020TRPBF

IRFR9020TRPBF

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR9020TRPBF

Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.

Preis IRFR9020TRPBF ab 1.08 EUR bis 2.85 EUR

IRFR9020TRPBF
IRFR9020TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9020TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.9 A, 0.2 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 9.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
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IRFR9020TRPBF
IRFR9020TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9020TRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET D
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IRFR9020TRPBF
IRFR9020TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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