auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 185+ | 0.85 EUR |
| 209+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFR9110PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFR9110PBF nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR9110PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET D |
auf Bestellung 4744 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8338 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 4776 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR9110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR9110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |