IRFR9220TRLPBF
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Technische Details IRFR9220TRLPBF
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis IRFR9220TRLPBF ab 1.69 EUR bis 3.66 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 
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IRFR9220TRLPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: D-Pak Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
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