IRFR9220TRLPBF

IRFR9220TRLPBF

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR9220TRLPBF

Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis IRFR9220TRLPBF ab 1.69 EUR bis 3.66 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp
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IRFR9220TRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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IRFR9220TRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
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