IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFS3607TRLPBF nach Preis ab 0.6 EUR bis 3.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
auf Bestellung 23200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 13137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
auf Bestellung 4061 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
auf Bestellung 23951 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm |
auf Bestellung 15183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm |
auf Bestellung 15183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3607TRLPBF Produktcode: 200325 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK Kind of package: reel Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFS3607TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK Kind of package: reel Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Type of transistor: N-MOSFET |
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