IRFS9N60A Vishay
Produktcode: 77974
Hersteller: VishayGehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD
verfügbar 4 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK |
auf Bestellung 2188 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS9N60A | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
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IRFS9N60A | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF |
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IRFS9N60APBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IRFS9N60A | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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