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IRFU220BTU-AM002

IRFU220BTU-AM002 ON Semiconductor


irfu220b-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Technische Details IRFU220BTU-AM002 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.

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IRFU220BTU-AM002 IRFU220BTU-AM002 Hersteller : onsemi / Fairchild IRFU220B_D-2314345.pdf MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM
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IRFU220BTU-AM002 IRFU220BTU-AM002 Hersteller : onsemi IRFR220B,IRFU220B.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
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