IRFU2607ZPBF

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Technische Details IRFU2607ZPBF
Description: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Tube, Manufacturer: Infineon Technologies, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA.
Preis IRFU2607ZPBF ab 0 EUR bis 0 EUR
IRFU2607ZPBF Hersteller: Infineon / IR MOSFET MOSFT 75V 45A 22mOhm 34nC Qg ![]() |
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IRFU2607ZPBF Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Tube Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1.44pF @ 25V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA ![]() |
auf Bestellung 224 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFU2607ZPBF Hersteller: Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Tube Manufacturer: Infineon Technologies Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA ![]() |
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