Produkte > VISHAY SILICONIX > IRFU430APBF
IRFU430APBF

IRFU430APBF Vishay Siliconix


sihfr430.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 391 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+4.5 EUR
10+ 3.73 EUR
100+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFU430APBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IRFU430APBF nach Preis ab 2.04 EUR bis 4.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFU430APBF IRFU430APBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfr430.pdf MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+4.52 EUR
14+ 3.77 EUR
100+ 2.99 EUR
250+ 2.78 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.15 EUR
3000+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFU430APBF (Transistor) IRFU430APBF (Transistor)
Produktcode: 52948
Hersteller : Vishay datasheetd789e6b8e75d78ede.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 500
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.07.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 490/24
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRFU430APBF IRFU430APBF Hersteller : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRFU430APBF IRFU430APBF Hersteller : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRFU430APBF Hersteller : VISHAY sihfr430.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFU430APBF Hersteller : VISHAY sihfr430.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar