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Technische Details IRFU9110PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFU9110PBF nach Preis ab 0.79 EUR bis 3.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFU9110PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU9110PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp |
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IRFU9110PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
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IRFU9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
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IRFU9110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU9110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFU9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRFU9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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