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IRL3705NPBF

IRL3705NPBF

irl3705n-datasheet.pdf
Produktcode: 24017
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRL3705NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 77A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:77A
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:130W
  • Power Dissipation Pd:130W
  • Pulse Current Idm:310A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL3705N_DS_v01_02_EN-3363508.pdf MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : Infineon Technologies irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF Hersteller : IR irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Hersteller : Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
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ZCODE: 8541290010
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Gehäuse: TO-220
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verfügbar: 363 Stück
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1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 description
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
№ 7: 8541100090
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1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Produktcode: 2455		 EXR_080421.pdf
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 102 Stück
erwartet: 5000 Stück
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10+ 0.24 EUR
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1000+ 0.19 EUR
4,7 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-4K7-Hitano)
Produktcode: 13778		 CR-S_080911.pdf
4,7 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-4K7-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 4,7 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 3610 Stück
erwartet: 20000 Stück
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100+ 0.0056 EUR
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