IRL3705ZPBF

IRL3705ZPBF


irl3705zpbf-222332.pdf
Produktcode: 113435
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRL3705ZPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 86A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:86A
  • On State Resistance:0.008ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.14`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:3V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.008ohm
  • Power Dissipation:130W
  • Power Dissipation Pd:130W
  • Pulse Current Idm:340A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : International Rectifier IRSDS11322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl3705z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl3705z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
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kls1-2_54-0-datasheet.pdf
Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
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2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
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erwartet: 100000 Stück
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1+0.02 EUR
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Produktcode: 28083
description ATmega8,L.pdf
ATmega8A-AU
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IC > IC Mikrokontroller
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Робоча температура, °С: -40…+85°C
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1+1.4 EUR
10+ 1.34 EUR
100+ 1.29 EUR
1000+ 1.11 EUR
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1327
RC_series.pdf
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U Betriebs.,V: 150V
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verfügbar: 4800 Stück
erwartet: 100000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 0.0034 EUR
1000+ 0.0028 EUR
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Produktcode: 2424
EXR_080421.pdf
470uF 50V EXR 13x21mm (EXR471M50B-Hitano)
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Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
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8532 22 00 00
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ECR_081225.pdf
4700uF 25V ECR 16x32mm (ECR472M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4700uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
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Lebensdauer: 16х32mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 127 Stück
erwartet: 200 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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