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IRL520PBF

IRL520PBF Vishay

irl520.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRL520PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : VISHAY IRL520.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : VISHAY IRL520.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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5000+ 1.33 EUR
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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : VISHAY packaging.pdf Description: VISHAY - IRL520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
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IRL520PBF IRL520PBF Hersteller : Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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