IRL620PBF

IRL620PBF Vishay Siliconix


packaging.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 276 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+4.16 EUR
50+ 3.33 EUR
100+ 2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRL620PBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRL620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote IRL620PBF nach Preis ab 1.86 EUR bis 4.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRL620PBF IRL620PBF Hersteller : Vishay Semiconductors packaging.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRF620PBF
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+4.19 EUR
16+ 3.35 EUR
100+ 2.76 EUR
250+ 2.6 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 2.02 EUR
2000+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRL620PBF IRL620PBF Hersteller : Vishay irl620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL620PBF IRL620PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013856880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL620PBF IRL620PBF Hersteller : Vishay irl620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL620PBF Hersteller : VISHAY packaging.pdf
auf Bestellung 20350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL620PBF IRL620PBF Hersteller : Vishay irl620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL620PBF IRL620PBF Hersteller : Vishay sih620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL620PBF Hersteller : VISHAY packaging.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL620PBF Hersteller : VISHAY packaging.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar