IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRL7472L1TRPBF nach Preis ab 3.09 EUR bis 10.61 EUR
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IRL7472L1TRPbF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V |
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IRL7472L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRL7472L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRL7472L1TRPbF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14796 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRL7472L1TRPbF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl |
auf Bestellung 10377 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRL7472L1TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRL7472L1TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRL7472L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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| IRL7472L1TRPbF | Hersteller : Infineon |
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IRL7472L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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