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IRLB3813PBF

Name: IRLB3813PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 6980218-5
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 113437

Hersteller: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRLB3813PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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35+	2.1 EUR
38+	1.9 EUR
43+	1.69 EUR
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IRLB3813PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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38+	1.9 EUR
43+	1.69 EUR
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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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100+	2.26 EUR
250+	2.09 EUR

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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65+	2.46 EUR
100+	2.26 EUR
250+	2.09 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 65

IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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73+	2.09 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.23 EUR
2000+	1.12 EUR
5000+	1.06 EUR

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf

MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

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2000+	1.97 EUR
5000+	1.9 EUR

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V

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7+	4.32 EUR
50+	3.48 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.05 EUR
2000+	1.95 EUR
5000+	1.88 EUR

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IRLB3813PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRLB3813PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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2,2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2133

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 2,2 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

verfügbar: 3849 Stück

erwartet: 10000 Stück

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1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3314

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

auf Bestellung 13364 Stück:

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erwartet 25000 Stück:

20000 Stück - erwartet 20.05.2024

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100+	0.0036 EUR
1000+	0.0028 EUR

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3,6 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11293

Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3,6 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

verfügbar: 5185 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	0.0042 EUR
100+	0.0036 EUR
1000+	0.0028 EUR

Mindestbestellmenge: 10

BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873

Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD

verfügbar: 18289 Stück

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100+	0.026 EUR
1000+	0.023 EUR

IRLB8748PBF
Produktcode: 100095

irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

auf Bestellung 110 Stück:

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