IRLB8721PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLB8721PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote IRLB8721PBF nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRLB8721PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB8721PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 62A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 7.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLB8721PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 62A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 7.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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IRLB8721PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8721PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8721PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8721PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V |
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IRLB8721PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg |
auf Bestellung 7522 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLB8721PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB8721PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8721PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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