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IRLML2030TRPBF

Name: IRLML2030TRPBF
Brand: IR
SKU: 38414
Price: 0.12 EUR
Availability: InStock

irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec

Produktcode: 38414

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar 1016 Stück:

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irlml2030-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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2000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V

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6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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240+	0.3 EUR
410+	0.17 EUR
480+	0.15 EUR
545+	0.13 EUR
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IRLML2030TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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545+	0.13 EUR
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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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789+	0.19 EUR
797+	0.18 EUR
1036+	0.13 EUR
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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLML2030_DataSheet_v01_01_EN-3363394.pdf

MOSFET MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

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24000+	0.19 EUR

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V

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500+	0.34 EUR
1000+	0.26 EUR

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012813698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

auf Bestellung 18586 Stücke:

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 2,7 А; Ptot, Вт = 1,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15; Qg, нКл = 1 @ 4,5 В; Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA; SOT-23-3

auf Bestellung 9 Stücke:

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10+	0.63 EUR
100+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF Транзисторы

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IRLML2030TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90

auf Bestellung 5912 Stück:

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IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD

auf Bestellung 446 Stück:

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10+	0.16 EUR
100+	0.12 EUR

IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076

irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 7682 Stück

erwartet: 50 Stück

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10+	0.08 EUR

IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697

irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 8 Stück

erwartet: 6000 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
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10+	0.19 EUR

KIRLML5203TRPBF
Produktcode: 185651

2109011630_KUU-KIRLML5203TRPBF_C2891688.pdf

Hersteller: KUU
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 A
Rds(on),Om: 165 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9,5
/: SMD

auf Bestellung 2459 Stück:

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