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IRLML2402TR UMW

IRLML2402.pdf Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2402TR; IRLML2402GTR; SP001552710; SP001572972; IRLML2402TR UMW TIRLML2402 UMW
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Technische Details IRLML2402TR UMW

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLML2402TR Hersteller : Infineon IRLML2402.pdf N-MOSFET 1.2A 20V 0.54W 0.025Ω IRLML2402TR IRLML2402 TIRLML2402
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IRLML2402TR Hersteller : International Rectifier/Infineon IRLML2402.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 1,2 А; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15; Qg, нКл = 3,9 @ 4,5 В; Rds = 250 мОм @ 930 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOT-23-3
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IRLML2402 TR Hersteller : IR
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IRLML2402TR IRLML2402TR Hersteller : Infineon Technologies irlml2402.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2402TR IRLML2402TR Hersteller : Infineon Technologies IRLML2402.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
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Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
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