IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Weitere Produktangebote IRLMS6802TRPBF nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
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IRLMS6802TRPBF Produktcode: 26801 |
Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23-6 Uds,V: 20 V Id,A: 4,5 A Rds(on),Om: 0,050 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1079/11 /: SMD |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6 Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.6A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRLMS6802TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6 Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.6A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel |
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