IRLR014TRPBF
IRLR014TRPBF
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Technische Details IRLR014TRPBF
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.
Preis IRLR014TRPBF ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR014TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRLR014TRPBF SMD N channel transistors
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IRLR014TRPBF Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 7.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 5 Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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IRLR014TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRLR014TRPBF SMD N channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TR
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auf Bestellung 17803 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLR014TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR014TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Part Status: Active
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