Produkte > VISHAY > IRLR120PBF
IRLR120PBF

IRLR120PBF Vishay


sihlr120.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2090 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
181+0.88 EUR
192+ 0.79 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLR120PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IRLR120PBF nach Preis ab 0.64 EUR bis 3.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRLR120PBF IRLR120PBF Hersteller : Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
172+0.92 EUR
181+ 0.84 EUR
192+ 0.76 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 172
IRLR120PBF IRLR120PBF Hersteller : Vishay Semiconductors IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR120
auf Bestellung 5024 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+2.56 EUR
25+ 2.17 EUR
100+ 1.82 EUR
500+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IRLR120PBF IRLR120PBF Hersteller : Vishay Siliconix IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+3.82 EUR
75+ 3.07 EUR
150+ 2.43 EUR
525+ 2.06 EUR
1050+ 1.68 EUR
2025+ 1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRLR120PBF IRLR120PBF Hersteller : Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRLR120PBF IRLR120PBF Hersteller : Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRLR120PBF Hersteller : VISHAY IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRLR120PBF Hersteller : VISHAY IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar