IRLZ44ZPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLZ44ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRLZ44ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLZ44ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 51A 24nC 13.5mOhm LogLvAB |
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IRLZ44ZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
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IRLZ44ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLZ44ZPBF Produktcode: 113451 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 55 V Idd,A: 51 A Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
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IRLZ44ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V |
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