ISL9R30120G2 onsemi / Fairchild
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Technische Details ISL9R30120G2 onsemi / Fairchild
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| ISL9R30120G2 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching 1.2KV 30A 100ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISL9R30120G2 | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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ISL9R30120G2 | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |