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ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085 onsemi

isl9r3060g2-f085-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details ISL9R3060G2-F085 onsemi

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

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Stealth Rectifier
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ISL9R3060G2-F085 ISL9R3060G2-F085 Hersteller : ON Semiconductor isl9r3060g2-f085-d.pdf Diode Switching 600V 30A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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