ISL9V3040S3ST ON Semiconductor
Hersteller: ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details ISL9V3040S3ST ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.25V, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 21A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ISL9V3040S3ST nach Preis ab 2.06 EUR bis 8.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ISL9V3040S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1051 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISL9V3040S3ST | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 430V 21A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 17 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 150 W |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ISL9V3040S3ST | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 17a 400V Logic Level |
auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ISL9V3040S3ST | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 430V 21A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 17 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 150 W |
auf Bestellung 2924 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ISL9V3040S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISL9V3040S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.25V Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 21A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISL9V3040S3ST Produktcode: 84352 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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ISL9V3040S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISL9V3040S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| ISL9V3040S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: ignition systems Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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| ISL9V3040S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: ignition systems |
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