ISL9V5036S3ST ON Semiconductor
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 38+ | 4.19 EUR |
| 41+ | 3.58 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISL9V5036S3ST ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V, Verlustleistung Pd: 250W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 360V, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 46A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 46A.
Weitere Produktangebote ISL9V5036S3ST nach Preis ab 3.19 EUR bis 11.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISL9V5036S3ST | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 390V 46A 250W TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 46 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 390V 46A 250W TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 46 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 1531 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISL9V5036S3ST | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 31a 360V IGBT LL avalanche |
auf Bestellung 1784 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 46A |
auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 360V Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 46A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 46A |
auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| ISL9V5036S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 31A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: ignition systems Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 31A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: ignition systems |
Produkt ist nicht verfügbar |