IXA60IF1200NA IXYS
Hersteller: IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
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Technische Details IXA60IF1200NA IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA60IF1200NA - IGBT-Modul, Einfach, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, Dauer-Kollektorstrom: 88A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IXA60IF1200NA | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 56A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 290W Technology: XPT™ Features of semiconductor devices: high voltage Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXA60IF1200NA | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis, Stud Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 290 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXA60IF1200NA | Hersteller : IXYS |
IGBT Modules XPT IGBT Copack |
auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXA60IF1200NA | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA60IF1200NA - IGBT-Modul, Einfach, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V Dauer-Kollektorstrom: 88A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: SOT-227B Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXA60IF1200NA Produktcode: 116936 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXA60IF1200NA | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V |
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