IXEN60N120 Ixys Semiconductor GmbH
Hersteller: Ixys Semiconductor GmbHNPT2 IGBT (Ic25=100 A, Vces=1200 V, Vce(sat) typ.=2.1 V ) SOT-227B
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Technische Details IXEN60N120 Ixys Semiconductor GmbH
Description: IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: NPT, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 445 W, Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.8 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IXEN60N120 Produktcode: 164496 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXEN60N120 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: NPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 445 W Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.8 nF @ 25 V |
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| IXEN60N120 | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors 60 Amps 1200V |
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