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IXGN200N60B3

IXGN200N60B3 IXYS


ixgn200n60b3.pdf Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 1.2kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
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Technische Details IXGN200N60B3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 300A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 830W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: IGBT Module GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 300A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : IXYS ixgn200n60b3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 1.2kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn200n60b3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
auf Bestellung 865 Stücke:
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10+ 92.98 EUR
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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : IXYS media-3322400.pdf IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
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10+ 93.63 EUR
20+ 88.04 EUR
50+ 85.12 EUR
100+ 82.16 EUR
200+ 79.25 EUR
500+ 78.96 EUR
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR 2362858.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn200n60b3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 6 Stücke:
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IXGN200N60B3
Produktcode: 176713
littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn200n60b3_datasheet.pdf.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXGN200N60B3 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn200n60b3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B
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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
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