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IXLF19N250A

IXLF19N250A IXYS


media-3321962.pdf Hersteller: IXYS
IGBTs High Voltage IGBT 2500V; 19A
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Technische Details IXLF19N250A IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXLF19N250A - IGBT, 32 A, 3.2 V, 250 W, 2.5 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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IXLF19N250A IXLF19N250A Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXLF19N250A - IGBT, 32 A, 3.2 V, 250 W, 2.5 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXLF19N250A IXLF19N250A Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixlf19n250a_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 2500V 32A 250000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
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IXLF19N250A IXLF19N250A Hersteller : IXYS IXLF19N250A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 19A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXLF19N250A IXLF19N250A Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixlf19n250a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 2500V 32A 250W I4PAC
Packaging: Bulk
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 19A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 15mJ (on), 30mJ (off)
Test Condition: 1500V, 19A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 250 W
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IXLF19N250A IXLF19N250A Hersteller : IXYS IXLF19N250A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 19A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
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