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IXTA10P50P IXYS

Name: IXTA10P50P
Brand: IXYS
SKU: 2902939-8
Price: 5.18 EUR
Availability: InStock

Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns

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Technische Details IXTA10P50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IXTA10P50P

Hersteller : IXYS

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
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IXTA10P50P

Hersteller : Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA10P50P

Hersteller : Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA10P50P

Hersteller : Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA10P50P

Hersteller : Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA10P50P

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Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA10P50P

Hersteller : IXYS

MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

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IXTA10P50P

Hersteller : Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA10P50P

Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR

LFSI-S-A0007910737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IXTA10P50P

Hersteller : Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA10P50P

Hersteller : Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA10P50P

Hersteller : IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

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