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IXTA96P085T

IXTA96P085T IXYS

IXTA96P085T-dte.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Technische Details IXTA96P085T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.

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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : IXYS IXTA96P085T-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 260 Stücke:
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18+9.25 EUR
20+ 7.67 EUR
25+ 7.34 EUR
50+ 6.6 EUR
100+ 5.48 EUR
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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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19+ 8.1 EUR
25+ 7.74 EUR
50+ 6.97 EUR
100+ 5.78 EUR
500+ 4.31 EUR
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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 603 Stücke:
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50+ 6.97 EUR
100+ 5.78 EUR
500+ 4.31 EUR
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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 181 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.03 EUR
50+ 12.01 EUR
100+ 10.74 EUR
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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : IXYS media-3321966.pdf MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds
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4+15.16 EUR
10+ 14.69 EUR
50+ 12.48 EUR
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500+ 10.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA96P085T IXTA96P085T Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 85 Stücke:
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