JAN1N5186 Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details JAN1N5186 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote JAN1N5186
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5186 | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
 Rectifier Diode Switching 100V 3A 150ns 2-Pin Case 303 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
JAN1N5186 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
JAN1N5186 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
Rectifiers Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |